Авторизация
Lost your password? Please enter your email address. You will receive a link and will create a new password via email.
После регистрации вы можете задавать вопросы и отвечать на них, зарабатывая деньги. Ознакомьтесь с правилами, будем рады видеть вас в числе наших авторов!
Вы должны войти или зарегистрироваться, чтобы добавить ответ.
Рассчитать тайминги памяти DDR4 можно следующим образом:
1. CAS Latency (CL) — это первый параметр таймингов памяти. Он указывает, сколько тактов процессора требуется для доступа к данным в памяти. Значение CL обычно указывается в виде числа (например, CL16).
2. RAS to CAS Delay (tRCD) — это второй параметр таймингов памяти. Он указывает, сколько тактов процессора требуется для активации строки памяти и доступа к столбцу. Значение tRCD обычно указывается в виде числа (например, tRCD18).
3. RAS Precharge Time (tRP) — это третий параметр таймингов памяти. Он указывает, сколько тактов процессора требуется для завершения операции чтения/записи и возвращения памяти в исходное состояние. Значение tRP обычно указывается в виде числа (например, tRP22).
4. Active to Precharge Time (tRAS) — это четвертый параметр таймингов памяти. Он указывает, сколько тактов процессора должно пройти между активацией и завершением операции чтения/записи. Значение tRAS обычно указывается в виде числа (например, tRAS42).
5. Command Rate (CR) — это пятый параметр таймингов памяти. Он указывает, сколько тактов процессора требуется для выполнения команды памяти. Значение CR обычно указывается в виде числа (например, CR1 или CR2).
Для рассчета таймингов памяти DDR4 можно использовать формулы, указанные в спецификации памяти или документации производителя. Важно отметить, что значения таймингов могут быть разными в зависимости от модели и производителя памяти DDR4.